（原标题：这项新发现世博官方体育app下载，有望兑现有储本领飞跃）

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科学家们可能无意地克服了告成遴选下一代数据存储本领的要紧贬抑。

询查东谈主员暗示，他们驾驭一种名为硒化铟 (In2Se3) 的特有材料，发现了一种裁汰相变存储器(PCM)能量需求的本领，相变存储器是一种无需恒定电源即可存储数据的本领，其能量需求最高可裁汰 10 亿倍。

询查东谈主员在 11 月 6 日发表在《当然》杂志上的一项询查中暗示，这一冲破朝着克服 PCM 数据存储领域的最大挑战之一迈出了一步，可能为低功耗存储竖立和电子产物铺平谈路。

PCM 是通用内存的首选——打算内存，既不错替代随即存取存储器 (RAM) 等短期内存，也不错替代固态硬盘 (SSD) 或硬盘等存储竖立。RAM 速率很快，但需要广宽物理空间和恒定电源智商启动，而 SSD 或硬盘的密度要大得多，不错在打算机关闭时存储数据。通用内存说合了两者的优点。

它的责任旨趣是让材料在两种现象之间切换：晶体（原子整王人陈列）和非晶体（原子随即陈列）。这些现象与二进制 1 和 0 相关，通过现象切换对数据进行编码。

但是，用于切换这些现象的“熔融淬火本领”——触及加热和快速冷却 PCM 材料——需要广宽动力，这使得该本领资本昂贵且难以边界化。在他们的询查中，询查东谈主员找到了一种十足绕过熔融淬火流程的措施，即通过电荷统一非晶化。这大大裁汰了 PCM 的动力需求，并可能为更平庸的交易应用开放大门。

宾夕法尼亚大学工程学院材料科学与工程诠释注解、这项询查的作家Ritesh Agarwal在一份声明中暗示：“相变存储竖立尚未获得平庸应用的原因之一是所需的能量。”他说，这些发现关于瞎想低功耗存储竖立的后劲是“广大的”。

询查东谈主员的发现取决于硒化铟的特有性质，这是一种兼具“铁电”和“压电”特质的半导体材料。铁电材料不错自觉极化，这意味着它们不错在不需要外部电荷的情况下产生里面电场。比较之下，压电材料在战役电荷时会发生物理变形。

在测试这种材料时，询查东谈主员发现，当材料透露在衔接电流下时，其部分会非晶化。更蹙迫的是，这是十足有时发生的。

“我其时简直观得我可能损坏了电线，”这项询查的共同作家、宾夕法尼亚大学工程学院材料科学与工程专科的前博士生Gaurav Modi在声明中说谈。“经常情况下，你需要电脉冲来激发任何类型的非晶化，而这里衔接的电流破碎了晶体结构，这是不应该发生的。”

进一步分析发现，半导体的特质会激发四百四病。率先，电流会引起材料发生轻微变形，从而激发“声学涟漪”——一种肖似于地震时分的声波。然后，这种声波穿过材料，将非晶化扩散到微米级区域，询查东谈主员将其比作雪崩蕴蓄动量的机制。

询查东谈主员解释称，硒化铟的多种特质（包括其二维结构、铁电性和压电性）共同作用，使冲击激发的非晶化流程约略以超死板量兑现。他们在询查中写谈，这可能为改日围绕“低功耗电子和光子应用的新材料和竖立”的询查奠定基础。

阿加瓦尔在声明中暗示：“这为询查当所有这些特质说合在一齐时材料中可能发生的结构转念开荒了一个新领域。”

https://www.livescience.com/technology/computing/accidental-discovery-creates-candidate-for-universal-memory-a-weird-semiconductor-that-consumes-a-billion-times-less-power

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